Purdue University;
机译:带有源极连接场板的InAs HEMT的评估,适用于高速和低功耗逻辑应用
机译:适用于高速应用的低功耗超阈值FinFET Domino逻辑电路
机译:增强模式In0.65Ga0.35As / InAs / In0.65Ga0.35As HEMT的潜力,可用于高速和低功耗逻辑应用
机译:高速低功耗逻辑应用III-V HEMTS的仿真
机译:适用于低待机功率逻辑应用的III-V超薄InGaAs / InAs MOSFET
机译:具有纳米堆叠的高k栅极电介质和3D鳍形结构的高性能III-V MOSFET
机译:Si平台上用于III-V逻辑LSI的InGaAs绝缘体上MOSFET的研究