East Carolina University.;
机译:快速质子撞击后薄金属箔二次电子产量的模拟
机译:等速质子和0.5-3.5 MeV / u的电子引起的薄碳箔的二次电子发射
机译:向前和向后相关的二次电子发射,取决于通过薄碳箔传输的质子的出现角度
机译:薄箔中快速质子诱导的二次电子产生和传输
机译:金属钙的光学和介电特性,钙的建模广义振荡器强度函数,电子,质子和与钙的电子粒子的相互作用截面。
机译:快速质子撞击后薄金属箔的二次电子产率模拟
机译:快速质子撞击后薄金属箔的二次电子产率模拟
机译:快速离子对薄金属箔的影响产生的电子发射:这些数据对轨道结构模型发展的影响