University of Toronto (Canada);
机译:适用于智能电源模块的单片IGBT栅极驱动器,采用0.8μm高压(50 V)CMOS工艺实现
机译:用于IGBT电源开关的0.8μmBiCMOS栅极驱动器
机译:具有经过修改的标准CMOS工艺的全桥输出级的IGBT栅极驱动器IC
机译:采用传统的0.8 / spl mu / m BiCMOS工艺实现的单片IGBT栅极驱动器
机译:低压CMOS DC-DC转换器的高效栅极驱动器。
机译:基于新型Volterra k最近邻最优修剪极限学习机(VKOPP)模型的绝缘栅双极晶体管(IGBT)剩余寿命估算
机译:64-GBD DP-Bipolar-8ASK传输超过120公里的SSMF,采用单片集成的驱动器和MZM,在0.25-μmsige bicmos技术中