The University of Arizona.;
机译:中子辐照对功率MOSFET击穿电压的影响
机译:软伽马辐射的使用表征SiC功率MOSFET中的预击穿载波倍增及其与中子辐射测量的TCR失效率的相关性
机译:GaAs调制掺杂场效应晶体管(MOSFET)中的高能中子辐照效应:阈值电压
机译:通过软伽马辐射评估SiC功率MOSFET中的预击穿载波乘法及其与中子辐射测量的地面宇宙射线故障率数据的相关性
机译:具有高击穿电压和低导通电阻的新型沟槽横向功率MOSFET
机译:拟议的双边沿触发静态D型触发器中的MOSFET沟道宽度和电源电压的多目标优化采用模糊非支配排序遗传算法II
机译:中子辐照对功率MOSFET击穿电压的影响
机译:电离辐射对功率mOsFET击穿电压的影响