Rochester Institute of Technology.;
机译:自对准非晶IGZO TFT的源/漏接触点形成对其负偏压照明应力稳定性的影响
机译:高度透明的IGZO-TFT使用具有复合绝缘层结构的IGZO源和漏电极
机译:具有选择性定义的低电阻a-IGZO源/漏电极的高性能同质结a-IGZO TFT
机译:具有硼植入源/漏区的自对准IGZO TFT
机译:闪光灯退火多晶硅的PMOS TFT工程源/通道/漏极区
机译:后处理对a-IGZO TFT上的Cu-Cr源/漏电极的影响
机译:源/排水触点的影响在其负面偏压 - 照明 - 应力稳定性上形成自排列的无定形 - IGZO TFT