University of South Carolina.;
4h-sic; Alpha spectroscopy; Cdznte; Edge termination; Gamma spectroscopy; Radiation detectors;
机译:硅基厚CdZnTe外延单晶硅衬底上MOVPE的生长用于核辐射探测器的开发
机译:用于辐射探测器的4H-SiC外延层和高阻块晶的表征
机译:快中子辐照对基于CVD 4H-SiC外延层的器件电学特性的影响
机译:核辐射探测器开发Si基板上厚单晶Cdznte外延层的MOVPE生长
机译:基于4h-sic n型外延层和cdznte的紧凑型高分辨率辐射探测器的制造与表征。
机译:4H-SiC外延层器件在高分辨率辐射检测中的进展
机译:使用4H-SIC外延层装置的高分辨率辐射检测进展
机译:用于III-V和纳米电子和介观器件的单晶外延锗基欧姆接触结构