University of California Davis.;
机译:具有源极连接场板的高击穿电压GaN基电流孔径垂直电子晶体管的研究
机译:具有电源应用界面电荷工程的高击穿电压GaN基垂直场效应晶体管的研究
机译:具有p-GaN岛结构的高击穿电压GaN基垂直HFET的设计,用于电源应用
机译:高功率应用具有高电子密度的GaN的异质结构场效应晶体管掺杂设计
机译:高功率和高频应用的氮极氮化镓垂直晶体管的设计与制造
机译:具有厚铜金属化特性的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管用于Ka波段应用的功率密度为8.2 W / mm
机译:基于GaN的功率晶体管,用于未来的功率电子转换器