University of California Santa Barbara.;
机译:使用选择性蚀刻技术的深凹N-Polar GaN MIS-HEMT的射频性能,无需异位表面钝化
机译:$ f_ {rm MAX} $的204 GHz N-Polar GaN / AlN MIS-HEMT,用于Ka频段应用
机译:适用于Ka波段电源应用的N-Polar GaN / AlN MIS-HEMT
机译:基于N极GaN的大规模自对准MIS-HEMT,具有16.8 GHz-um的最新fr> LG产品,适用于混合信号应用
机译:在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上进行等离子增强化学气相沉积的氮化硅钝化的热稳定性。
机译:Si上In0.18Al0.82N / AlN / GaN MIS-HEMT(金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管)的陡峭开关
机译:通过表面波等离子体进行氮化硅膜的化学气相沉积,用于AlGaN / GaN装置的表面钝化