University of Minnesota;
机译:电荷陷阱晶体管(CTT):嵌入式逻辑兼容的多次可编程的非易失性存储元件,用于高k金属门CMOS技术
机译:基于Craphdiyne / MOS_2的非易失性电解质门控晶体管,具有稳健的低功率神经形态计算和逻辑记忆的稳定性
机译:一种逻辑兼容的嵌入式闪存,用于零待机电源片上系统,具有多层高压开关和选择性刷新方案
机译:基于逻辑兼容的嵌入式闪存技术的具有22K多级突触的68并行行访问神经形态内核
机译:超越过程规模平面闪存技术的非易失性存储设备
机译:具有脉冲宽度调制方案的NAND闪存架构的神经形态计算
机译:电荷陷阱晶体管(CTT):嵌入式完全逻辑兼容的多时可编程非易失性的非易失性存储器,用于高-$ k $-$-$-Metal-Gate CMOS技术