University of California Santa Barbara.;
机译:使用氧化物气相外延法制造的低位错密度和高载体浓度GaN晶片,在垂直GaN P-N二极管中极端降低导电
机译:自由GaN衬底上垂直GaN肖特基势垒二极管和p-n二极管正向电流/电压特性的数值分析
机译:在独立式(1010)m平面GaN衬底上生长的非极性垂直GaN-on-GaN p-n二极管
机译:具有10A正向电流和1.6kV击穿电压的垂直GaN-on-GaN p-n二极管
机译:研究和优化GaN基发光二极管中的载流子传输,载流子分布和效率下降
机译:非极性m面InGaN / GaN发光二极管的有效载流子注入传输弛豫和复合与更强的载流子定位和低极化效应相关
机译:离子植入物隔离垂直GaN P-N二极管,由GaN基板(Phys.Tudy Solidi A 4/2019)制成外延升降机