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固体高分辨核磁共振技术对改性金属离子在HZSM—5分子筛中的行为研究

         

摘要

使用固体高分辨核磁共振技术研究了Zn^2+,Ga^3+等离子在HZSM-5分子筛中的行为,结果表明,Ga^3+离子主要定位于HZSM-5外表面,不能抑制骨架脱铝;Zn^2+离子进入了HZSM-5内孔道,取代了桥羟基上部分质子位,能稳定沸石骨架,Ga^3+,Zn^2+离子均未进入沸石骨架位,骨架脱铝顺序为:GaHZSM-5>HZSM-5>ZnHZSM-5>>BzHZSM-5

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