氯离子对铜在玻碳电极上电结晶的影响

辜敏; 杨防祖; 黄令; 姚士冰; 周绍民

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氯离子对铜在玻碳电极上电结晶的影响

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采用线性扫描伏安法和计时安培法研究了硫酸铜溶液中铜在玻碳电极上电结晶的初期行为.在含与不含氯离子的0.05 mol@L-1CuSO4-0.5 mol@L-1H2SO4电解液中,循环伏安实验结果表明铜在玻碳基体上的沉积没有经过UPD过程;氯离子明显使Cu的沉积和氧化峰变得尖锐,促进Cu的沉积速度.计时安培实验结果表明,Cu的电结晶按瞬时成核和三维生长方式进行.氯离子不改变Cu的电结晶机理,但在I～t曲线中,导致电流达最大(Im)所需的时间tm减小、晶核数密度和生长速度增大,从而明显改变Cu沉积层的质量.当Cl-浓度在10～20mg@L-1范围内,成核的晶核数密度达较大,即氯离子的最适宜添加量.

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来源
《化学学报》 |2002年第11期|1946-1950|共5页
作者
辜敏; 杨防祖; 黄令; 姚士冰; 周绍民;
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作者单位

汕头大学化学系;

汕头;

515063;

厦门大学化学系固体表面物理化学国家重点实验室;

厦门;

361005;

厦门大学化学系固体表面物理化学国家重点实验室;

厦门;

361005;

厦门大学化学系固体表面物理化学国家重点实验室;

厦门;

361005;

厦门大学化学系固体表面物理化学国家重点实验室;

厦门;

361005;

厦门大学化学系固体表面物理化学国家重点实验室;

厦门;

361005;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类化学;
关键词
铜; 氯离子; 玻碳; 电结晶;

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