受主掺杂BaPbO3陶瓷的缺陷结构

王歆; 陆裕东; 庄志强

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受主掺杂BaPbO3陶瓷的缺陷结构

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采用高温平衡电导法测定高温平衡电导率随氧分压(10-12～105 Pa)的变化曲线,阐明了受主掺杂BaPb03的缺陷结构,解释了材料的导电机理.高氧分压下,Pb离子空位缺陷占主导,电荷补偿缺陷为空穴;随着氧分压的下降,材料由本征缺陷占主导向杂质缺陷占主导转变,受主杂质成为主导缺陷,电荷补偿缺陷为空穴;在低氧分压下,电荷补偿缺陷由空穴转变为氧离子空位.受主掺杂浓度的下降,导致高温电导率下降,并引起本征缺陷占主导向非本征缺陷占主导的转变点向低氧分压方向移动,同时低氧分压区域的电荷补偿缺陷由空穴转变为氧离子空位的转变点也向更低的氧分压方向移动.

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来源
《化学学报》 |2007年第16期|1600-1604|共5页
作者
王歆; 陆裕东; 庄志强;
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作者单位

华南理工大学材料学院;

特种功能材料教育部重点实验室;

广州;

510640;

华南理工大学材料学院;

特种功能材料教育部重点实验室;

广州;

510640;

信息产业部电子第五研究所;

电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室;

广州;

510640;

华南理工大学材料学院;

特种功能材料教育部重点实验室;

广州;

510640;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类化学;
关键词
BapbO3; 缺陷化学; 补偿缺陷; 受主; 平衡电导率;

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