ZrO2在Si(100)-2×1表面原子层淀积反应机理的密度泛函理论研究

任杰; 陈玮; 卢红亮; 徐敏; 张卫

首页> 中文期刊> 《化学学报》 >ZrO2在Si(100)-2×1表面原子层淀积反应机理的密度泛函理论研究

ZrO2在Si(100)-2×1表面原子层淀积反应机理的密度泛函理论研究

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

用密度泛函方法研究了ZrO2在羟基预处理的Si(100)-2×1表面原子层淀积(ALD)初始反应过程的反应机理,ZrO2的ALD过程包括两个前体反应物ZrCl4和H2O交替的半反应.两个半反应都经历一个相似的吸附中间体反应路径.比较单羟基Si表面反应的反应焓变,可以发现双羟基Si表面反应,由于相邻羟基的存在,对ZrCl4的半反应影响较大,尤其是化学吸附能增加明显.而对于H2O的半反应,单、双羟基Si表面反应的能量变化不是很明显.使用内禀反应坐标(IRC)方法,验证了两个半反应存在相似的过渡态结构和反应机理.另外,发现随着温度的升高,吸附络合物的稳定性降低,其向反应物方向的解吸附变得容易,而向产物方向的解离难度增加.

著录项

来源
《化学学报》 |2006年第11期|1133-1139|共7页
作者
任杰; 陈玮; 卢红亮; 徐敏; 张卫;
展开▼
作者单位

复旦大学微电子学系;

专用集成电路与系统国家重点实验室;

上海;

200433;

河北科技大学理学院;

石家;

庄050018;

复旦大学微电子学系;

专用集成电路与系统国家重点实验室;

上海;

200433;

复旦大学微电子学系;

专用集成电路与系统国家重点实验室;

上海;

200433;

复旦大学微电子学系;

专用集成电路与系统国家重点实验室;

上海;

200433;

复旦大学微电子学系;

专用集成电路与系统国家重点实验室;

上海;

200433;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类化学;
关键词
原子层淀积; 密度泛函理论; 高介电常数栅介质; 氧化锆;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. Ta_2O_5在Si(100)表面原子层沉积反应机理的密度泛函研究 [J] . 任杰 ,周广芬 ,郭子成 . 高等学校化学学报 . 2009,第011期
2. HfO2和Al2O3混合原子层沉积反应机理的密度泛函理论研究 [J] . 周广芬 ,崔永琴 ,于战海 . 河北科技大学学报 . 2008,第002期
3. 基于H-Si(100)表面上原子层沉积Al2O3的仿真研究 [J] . 申灿 ,黄光周 ,马国欣 . 真空科学与技术学报 . 2009,第2期
4. 微波等离子体化学气相淀积ZrO2薄膜的表面形貌研究 [J] . 曹传宝 ,李凡庆 . 中国科学技术大学学报 . 1992,第001期
5. 乙烷在V2O5(001)表面深度氧化反应机理的周期性密度泛函理论研究 [J] . 戴国梁 ,李振华 ,王文宁 . 催化学报 . 2013,第005期
6. 基于H-Si(100)表面上原子层沉积Al<,2>O<,3>的仿真 [C] . 申灿 ,黄光周 ,马国欣 . 07中国(华南地区)真空与光电技术论坛暨广东省真空学会学术年会 . 2007
7. 原子层淀积高介电常数栅介质HfO反应机理的密度泛函理论研究 [A] . 任杰 . 2006

ZrO2在Si(100)-2×1表面原子层淀积反应机理的密度泛函理论研究

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅