硅烯及取代硅烯与饱和键插入反应的量子化学研究

耿志远; 王永成; 赵存元

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用量子化学的密度泛函理论(DFT)在6-311G*水平上对硅烯及其取代物与甲烷的C-H键进行插入反应的势能面进行了系统地研究.用IRC方法对过渡态进行了验证.并用组态混合模型讨论了反应势垒(△E≠)和反应热(△H)与SiXY的单-三态激发能△Est的关系.我们发现,硅烯SiXY的△Est是控制反应的主要因素,取代基的电负性越大,取代基越多,π电子给予越强,SiXY的△Est就越大,插入反应的活化能就越大,放热就越小.

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来源
《化学学报》 |2001年第12期|2050-2055|共6页
作者
耿志远; 王永成; 赵存元;
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作者单位

西北师范大学化学化工学院;

西北师范大学化学化工学院;

西北师范大学化学化工学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类化学;
关键词
硅烯; 从头算; 密度泛函理论; 过渡态;

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