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一种CMOS超宽带LNA的优化设计方法

         

摘要

为实现性能更优的超宽带(UWB)射频前端低噪声放大器(LNA),本文提出了一种通用的基于CMOS工艺的超宽带LNA优化设计方法.基于源端电感负反馈的LNA电路模型,本文提出利用最优化的数学方法分别确定晶体管尺寸、输入匹配网络和负载网络各元件参数的方法,实现了较好的输入阻抗匹配,达到了较高的增益、较好的增益平坦度以及优秀的噪声系数,并具有较低的功耗;本设计方法所用无源元件不但适宜CMOS集成,而且对工艺偏差具有一定的忍耐力.仿真结果说明用上述方法设计的超宽带LNA在工作频带内能够达到预期的各项性能要求.

著录项

  • 来源
    《电子学报》 |2009年第5期|1082-1086|共5页
  • 作者单位

    清华大学微电子学研究所,清华大学信息科学与技术国家实验室微电子学部,北京,100084;

    清华大学深圳研究生院,广东深圳,518055;

    清华大学微电子学研究所,清华大学信息科学与技术国家实验室微电子学部,北京,100084;

    清华大学微电子学研究所,清华大学信息科学与技术国家实验室微电子学部,北京,100084;

    清华大学微电子学研究所,清华大学信息科学与技术国家实验室微电子学部,北京,100084;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 设计;场效应型;
  • 关键词

    射频前端低噪声放大器; 超宽带; 优化设计方法; CMOS;

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