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李尊朝; 蒋耀林; 吴建民;
西安交通大学电子与信息工程学院,陕西西安,710049;
MOSFET; 异质栅; 解析模型; 阈值电压;
机译:具有隧穿氧化物和背栅偏置的全耗尽SOI MOSFET中的栅诱导浮体效应
机译:具有应变Si / Ge通道的双材料全栅全耗尽SOI MOSFET
机译:对单栅,双栅和全栅隧穿隧道场效应晶体管进行建模
机译:包含温度效应的全耗尽单栅极SOI MOSFET的准二维模型
机译:用于超低压应用的钨栅完全耗尽SOI CMOS器件和电路的研究。
机译:用于CMOS图像传感器应用的全耗尽沟槽固定光敏栅
机译:具有pearson-IV型掺杂分布的双材料双栅全耗尽sOI mOsFET的分析表征
机译:全剂量辐照期间全耗尽sOI晶体管响应的新见解
机译:自耗尽边缘背栅引起的具有反向短沟道效应(SCE)的全耗尽型低体掺杂场效应晶体管(FET)
机译:减少寄生背栅电容的全耗尽SOI器件
机译:非对称双栅全耗尽晶体管
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