CDMA-800MHz频段低温低驻波比放大电路设计

高飞; 张晓平; 曹必松; 高葆新

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CDMA-800MHz频段低温低驻波比放大电路设计

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为用HEMT晶体管设计L波段低驻波比放大电路,本文用输入无源复反射系数在输出反射平面上的共轭匹配区表达式,将驻波比约束转化为无源匹配区域的映射.同时为了计算放大电路低温下噪声,通过有损输入模型导出了噪声的温度关系式.实测CDMA-830MHz高温超导前端放大器噪声温度小于30K,输入驻波比小于1.3,输出驻波比小于1.8,增益大于17dB.

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来源
《电子学报》 |2005年第9期|1626-1628|共3页
作者
高飞; 张晓平; 曹必松; 高葆新;
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作者单位

清华大学深圳研究生院,北京,100084;

清华大学物理系,北京,100084;

清华大学物理系,北京,100084;

清华大学深圳研究生院,北京,100084;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类低噪声放大器;
关键词
低温放大电路; 电路设计; 噪声特性;

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