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王晓冬; 吉元; 李志国; 卢振军; 夏洋; 刘丹敏; 肖卫强;
北京工业大学材料科学工程学院,北京,100022;
北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022;
中国科学院微电子中心,北京,100029;
Cu互连线; 晶体学取向; 晶粒尺寸; 电徙动;
机译:评估ULSI装置中的阻抗不匹配对铜互连线电迁移的影响
机译:串扰噪声导致ULSI装置中铜互连线的电迁移加剧
机译:杂质在Cu / Cap界面和晶界中的偏析在Cu / Low-fr互连线的电阻率和电迁移中的作用
机译:ULSI中Cu镶嵌电沉积工艺的优化率和可靠性改进
机译:用于高级ULSI应用的Al(Cu)和Cu互连中的热应力和微观结构。
机译:微电子封装中AuPd包覆的Cu和Pd掺杂的Cu线的比较可靠性研究和分析
机译:开放科学实践中的务实学派 - 以互互互互互互互互互互互互互互互互互互互互互互互互互互互互互互互联土的思想
机译:ag包覆TlBa2Cu3O(x)带的制造和显微结构发展。
机译:适用于ULSI应用的通过CU接触位移在阻挡层上进行化学CU沉积
机译:用于Cu CMP的浆料和形成Cu互连线的方法
机译:Cu,Cd,In || Se,Te互变体系中形成单晶CdTe和基于它的g-固溶体的方法
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