10Gb/s光调制器InGaP/GaAsHBT驱动电路的研制

袁志鹏; 刘洪刚; 刘训春; 吴德馨

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10Gb/s光调制器InGaP/GaAsHBT驱动电路的研制

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采用自行研发的4英寸InGaP/GaAs HBT技术,设计和制造了10Gb/s光调制器驱动电路.该驱动电路的输出电压摆幅达到3Vpp,上升时间为34.2ps(20～80%),下降时间为37.8ps(20～80%),输入端的阻抗匹配良好(S11=-12.3dB@10GHz),达到10Gb/s光通信系统(SONET OC-192,SDH STM-64)的要求.整个驱动电路采用-5.2V的单电源供电,总功耗为1.3W,芯片面积为2.01×1.38mm2.

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来源
《电子学报》 |2004年第11期|1782-1784|共3页
作者
袁志鹏; 刘洪刚; 刘训春; 吴德馨;
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作者单位

中国科学院微电子中心,北京,100029;

中国科学院微电子中心,北京,100029;

中国科学院微电子中心,北京,100029;

中国科学院微电子中心,北京,100029;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN929;
关键词
光发射机; 光调制器驱动电路; InGaP/GaAs HBT;

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