适用于数模混合集成的SOI MOSFET的失真分析

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本文较为详细地分析了SOI MOSFET的失真行为.利用幂级数方法对不同结构包括部分耗尽PD、全耗尽FD和体接触BC的SOI器件的谐波失真进行了对比性的实验研究.同时,在实验分析的基础上提出了描述失真行为的连续的SOI MOSFET失真模型.该模型通过引入平滑函数和主要的影响失真的物理机制,使得模拟计算结果能够与实验结果较好的吻合.本文所得到的结果可用于低失真的数模混合电路的设计,并对低失真电路的优化提供指导方向.

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来源
《电子学报》 |2002年第2期|232-235|共4页
作者

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作者单位

北京大学微电子学研究所,北京,100871;

北京大学微电子学研究所,北京,100871;

北京大学微电子学研究所,北京,100871;

北京大学微电子学研究所,北京,100871;

北京大学微电子学研究所,北京,100871;

香港科技大学电子工程系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN399.1;
关键词
失真分析; 幂级数方法; 失真模型; SOI MOSFET;

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