控制超大规模集成电路用水中的溶解氧和总有机碳浓度的研究

闻瑞梅; 陈胜利

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本文介绍了溶解氧(DO)以及总有机碳(TOC)对超大规模集成电路(ULSI)用水的污染,并列出了高纯水中TOC的浓度与栅氧化缺陷密度的关系数据.研究了影响水中DO的因素以及用各种方法降低TOC的比较,本文设计了用脱氧膜接触器,降低高纯水中的溶解氧.结合用双级反渗透(RO)及电脱盐(EDI)[1～3]再加上185nm紫外光照射高纯水,使高纯水中的溶解氧和TOC分别降至0.6μg/L和0.7μg/L,并用键能理论解释了185nm紫外降低TOC的机理.

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来源
《电子学报》 |2001年第8期|1009-1012|共4页
作者
闻瑞梅; 陈胜利;
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作者单位

同济大学电子信息学院,;

同济大学电子信息学院,;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类制造工艺;
关键词
超大规模集成电路; 溶解氧; 膜接触器; 总有机碳; 185nm紫外线;

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