非晶硅Pin二极管的1MeV电子幅照效应

李柳青; 廖显伯; 游志朴

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非晶硅Pin二极管的1MeV电子幅照效应

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本文报道a-Si∶H本征膜及Pin二极管的1MeV1.4×1015,4.2×1015,8.4×1015/cm2电子幅照实验结果和退火行为.测量了电子辐照对a-Si∶H光暗电导率和光致发光谱的影响,以及a-Si∶H Pin二极管光伏特性和光谱响应随电子辐照剂量的变化.发现电子辐照在a-Si∶H本征膜和二极管中引起严重的损伤,和二极管光谱响应的峰值"红移”.但未见饱和现象,还观测到明显的室温恢复现象;但高温退火处理后未能完全恢复.本文对以上实验结果给出了合理的解释.

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来源
《电子学报》 |2001年第8期|1076-1078|共3页
作者
李柳青; 廖显伯; 游志朴;
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作者单位

北京印刷学院基础部,;

中科院半导体所,;

四川联合大学物理系,;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类非晶态半导体;
关键词
a-Si∶H本征膜; Pin二极管; 电子辐照; 室温恢复; 高温退火; 光谱响应的峰值"红移”; 辐射缺陷;

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