衬底热电子增强的薄SiO2层击穿特性研究

刘红侠; 郝跃; 黄涛; 方建平

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本文通过衬底热电子SHE(Substrate hot electron)注入技术,对SHE增强的薄SiO2层击穿特性进行了研究.实验发现氧化层中的平均电子能量与衬底电压有很大的关系.通过能量守恒方程计算注入到氧化层中的平均电子能量,根据计算出的电子能量可以解释SHE注入和F-N隧穿注入的根本不同.本文提出了衬底热电子增强的TDDB(Time dependent dielectric breakdown)模型.

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来源
《电子学报》 |2001年第11期|1468-1470|共3页
作者
刘红侠; 郝跃; 黄涛; 方建平;
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作者单位

西安电子科技大学微电子研究所;

西安电子科技大学微电子研究所;

西安电子科技大学微电子研究所;

西安电子科技大学微电子研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料;
关键词
薄栅氧化层; 经时击穿; 衬底热电子; 击穿电荷;

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