退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
于宗光; 陆锋; 徐征; 叶守银; 黄卫; 王万业; 许居衍;
信息产业部微电子科研中心,无锡,214035;
EEPROM; 浮栅; 隧道氧化层; 电荷; 泄漏;
机译:隧道氧化物浮栅EEPROM器件的退化及其与高场电流引起的薄栅氧化物退化的关系
机译:电荷载体循环呈浮栅中的浮栅中的形成和消光,基于间距QuienoInoid基场效应晶体管
机译:直接使用EEPROM存储器的浮栅结构对应力引起的泄漏电流的全面研究
机译:平面平面浮栅NAND闪存器件的理论分析和浮栅/电荷陷阱(CT)融合器件的实验研究,以全面了解电荷存储和工作原理
机译:基于聚苯胺的电位离子传感器和新型浮栅场效应晶体管(FGFET)上蛋白质结合的研究
机译:基于单个纳米粒子的纳米浮栅存储器中的隧道电导率切换
机译:使用神经元MOSFET的季度全加法器中的浮栅区域的浮栅区域减小
机译:一种估算辐射环境中浮栅提示电荷损失概率的方法。
机译:包括使用浮栅的闪存器件,该浮栅利用嵌入在隧道绝缘层上的聚合物中嵌入的纳米晶体
机译:非易失性存储器件的制造包括在浮栅上形成电介质层,该浮栅通过去除层间电介质图案之间的模制图案而暴露,并在浮栅上形成控制栅。
机译:集成电路装置电可擦可编程ROM具有在浮栅绝缘层上形成的浮栅导电层,该浮栅绝缘层包括靠近沟槽中的填充区域的变薄部分
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。