超高速CMOS/SOI 51级环振电路的研制

奚雪梅; 张兴; 倪卫华; 阎桂珍; 王阳元

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超高速CMOS/SOI 51级环振电路的研制

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利用CMOS/SOI工艺在4英寸SIMOX材料上成功制备出沟道长度为1μm、器件性能良好的CMOS/SOI部分耗尽器件和电路,从单管的开关电流比看,电路可以实现较高速度性能的同时又可以有效抑制泄漏电流.所研制的51级CMOS/SOI环振电路表现出优越的高速度性能,5V电源电压下单门延迟时间达到92ps,同时可工作的电源电压范围较宽,说明CMOS/SOI技术在器件尺寸降低后将表现出比体硅更具吸引力的应用前景.

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来源
《电子学报》 |2000年第5期|44-46|共3页
作者
奚雪梅; 张兴; 倪卫华; 阎桂珍; 王阳元;
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作者单位

北京大学微电子研究所,北京,100871;

北京大学微电子研究所,北京,100871;

北京大学微电子研究所,北京,100871;

北京大学微电子研究所,北京,100871;

北京大学微电子研究所,北京,100871;

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正文语种 chi
中图分类薄膜混合集成电路（薄膜电路）;
关键词
CMOS/SOI; MOSFET; 环振电路;

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