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表面层型半导体陶瓷电容器

         

摘要

@@ 1 引言rn半导体陶瓷电容器(以下简称半导C)特大的比体积电容量(MF/cm3)是传统陶瓷电容器所不可比拟的.这种小型化的新型元件具有颇具吸引力的市场潜力.特别是在尚未100%或不需100%采用SMT组装技术的电子产品中,如电视机、计算机、音响、电话机、电子玩具、白色家电……等产品中的耦合、隔流、滤波、旁路等电路中使用半导C,无疑是最佳选择.目前市场需求热点是Y5V、Y5U、Y5P三种温度特性组别的Ba-TiO3基表面层型半导C和具有更佳温度特性、频率特性和更高使用频率(达几GHz)的SrTio3基晶界层型半导C.国际市场年需求量近300亿只,国内年需求量约50亿只左右,在总需求量中表面层型半导C约占91%~95%,晶界层型半导C约占5%~10%.半导C的生产关键是半导化瓷片的制造技术和设备,国内大多数厂家由于不具备这种技术和设备,所以长期依靠进口进行后工序加工."东莞宏明"公司利用产学研优势,利用和国外厂商技术交流的机会,并通过自身的努力研制成功关键的设备--气氛烧结组合炉(专利号72.992.364205),并成功地掌握了半导C瓷片和半导C的制造技术,于1999年12月在信息产业部主持下,通过了半导C的生产定型,获得鉴定委员会专家们的高度评价.目前已形成年产6亿只半导体瓷片能力,很快将扩大至12亿只/年的生产能力.本文仅就表面层型半导体C的基本结构原理、关键生产技术、关键设计参数作一简要介绍.

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  • 来源
    《电子学报》 |2000年第8期|142138|共2页
  • 作者单位

    东莞宏明南方电子陶瓷有限公司;

    东莞宏明南方电子陶瓷有限公司;

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