电子空穴对单电子陷阱存储器的设计与分析

程子川; 蒋建飞; 蔡琪玉

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电子空穴对单电子陷阱存储器的设计与分析

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本文论述了由Ti/TiOx/Ti介观隧道结阵列构成的电子空穴对耦合的单电子陷阱存储器,结合目前扫描隧道显微镜(STM)进行纳米加工的特点,设计了该存储器的电路结构及其结构参数,计算出电路的电容矩阵,并用Monte Carlo法对电路特性进行了模拟.结果表明,该存储器与其它单电子存储器有相同的存储特性,但具有较高的工作温度及工作稳定性.

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来源
《电子学报》 |2000年第11期|134-136|共3页
作者
程子川; 蒋建飞; 蔡琪玉;
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作者单位

上海交通大学微电子技术研究所,上海,200030;

上海交通大学微电子技术研究所,上海,200030;

上海交通大学微电子技术研究所,上海,200030;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类设计与计算;
关键词
介观隧道结阵列; 单电子陷阱; 单电子晶体管静电探测计;

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