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用ps光电导采样技术测量微波单片集成电路的S参数

         

摘要

本文报道用光电导采样技术测量微波单片集成电路的S参数的基本原理. 首次用光电导采样技术测量了宽带(18~36GHz)低噪声三级放大器的S参数,与用网络分析仪测量的结果进行了比较,一致性很好.而光电导采样技术的测量带宽已达到100GHz.

著录项

  • 来源
    《电子学报》 |1999年第2期|26-28|共3页
  • 作者单位

    南开大学物理系,天津,300071;

    国家教委光学信息技术开放实验室,天津,300071;

    南开大学物理系,天津,300071;

    国家教委光学信息技术开放实验室,天津,300071;

    南开大学物理系,天津,300071;

    国家教委光学信息技术开放实验室,天津,300071;

    南开大学物理系,天津,300071;

    国家教委光学信息技术开放实验室,天津,300071;

    南开大学物理系,天津,300071;

    国家教委光学信息技术开放实验室,天津,300071;

    南开大学物理系,天津,300071;

    国家教委光学信息技术开放实验室,天津,300071;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 电子元件、组件;
  • 关键词

    S-参数; 采样测量; 光导开关;

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