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GexSi1—x减压化学气相外延过程的流体力学和表面反应动力学分析

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摘要

结合流体力学和表面反应动力学分析了ＳｉＨ２Ｃｌ２＋ＧｅＨ４＋Ｈ２减压化学气相外延系统。计算和讨论了由于生长压力的变化而导致的反应管内速度分布，温度分析和反应气体浓度分布的变化。计算了生长温度为７００℃时，ＧｅＳＩ外延层中Ｓｉ，Ｇｅ和ＧｅｘＳｉ１－ｘ生长速度与初始ＧｅＨ４流量的关系。

著录项

来源
《电子学报》 |1997年第8期|14-17|共4页
作者
金晓军; 梁骏吾;
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作者单位

清华大学微电子所;

中国科学院半导体所;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TN304.052;
关键词
化学气相外延; 流体力学; 表面反应动力学; 半导体;

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