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HEMT的Kin效应和低频偏移效应解析模型

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摘要

本文在考虑到界面态陷阱的基础上，建立了ＨＥＭＴ的静态和交流小信号解析模型，该模型能够正确地描述ＨＥＭＴ的Ｋｉｎｋ效应和低频偏移效应，并和实验符合相当好。文中还深入讨论了Ｉｎ组分和偏置的影响。

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来源
《电子学报》 |1997年第11期|14-17|共4页
作者
张义门; 吴拥军;
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作者单位

西安电子科技大学微电子研究所;

西安电子科技大学微电子研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TN320.1;
关键词
晶体管; Knik效应; 低频偏移效应; HEMT;

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