激光单条扫描定域再结晶SOI技术研究

王红卫; 杨景铭; 钱佩信

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激光单条扫描定域再结晶SOI技术研究

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本文描述了用于制作三维集成电路（３Ｄ－ＩＣ）的激光再结晶工艺的实验装置和工艺过程，报道了反射条结构样品的单条扫描定域再结晶的实验结果并作了相应的讨论，实验表明，再结晶质量与激光功率、预热温度、高反区条宽以及激光扫描速率等因素有关，并受到工艺稳定性的影响；利用激光单条扫描定域再结晶技术已获得１２ｕｍ宽度、芯片长度的能用以制作高性能ＭＯＳＦＥＴ的ＳＯＩ单晶条。

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来源
《电子学报》 |1996年第2期|22|共1页
作者
王红卫; 杨景铭; 钱佩信;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN430.5;
关键词
三维; 集成电路; SOI; 激光再结晶; 制造工艺;

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