应变SiGe合金的喇曼光谱研究

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本文利用喇曼光谱研究了使用快速热处理、超低压化学气相淀积方法生长的应变ＳｉＧｅ合金的微结构性质。俄歇电子能谱被用来测量ＳｉＧｅ合金中Ｇｅ的组分。实验中发现：高Ｇｅ组分的ＳｉＧｅ合金中Ｇｅ原子分布较低Ｇｅ组分样品无序和均匀，反应气体的氢气稀释以及完全无应变会使生长的ＳｉＧｅ合金中Ｇｅ原子的分布较为均匀。生长过程中应变的影响、原子的迁移以及氢原子的覆盖解释了以上实验。

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来源
《电子学报》 |1995年第2期|106|共1页
作者
顾书林;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.054;
关键词
喇曼光谱; SiGe合金; 锗; 硅;

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