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柯导明; 童勤义; 冯耀兰;
无;
机译:短沟道三材料对称栅堆叠(DGGS)的沟道电势和阈值电压的二维分析模型
机译:短沟道双材料栅极轻掺杂漏极MOSFET的沟道电势和阈值电压的二维分析模型
机译:硅锗(SiGe)衬底上带有应变硅(s-Si)沟道的短沟道双材料栅极(DMG)MOSFET阈值电压的分析模型
机译:利用背栅衬底引起的表面效应对长沟道和短沟道全耗尽SOI MOSFET的阈值电压进行建模
机译:机械应力对硅和锗金属氧化物半导体器件的影响:沟道迁移率,栅极隧穿电流,阈值电压和栅极堆叠
机译:使用光反应性界面层通过局部沟道掺杂来调节有机薄膜晶体管的阈值电压
机译:Inp n沟道增强模式金属 - 绝缘体 - 半导体场效应晶体管的阈值电压漂移。
机译:具有低阈值电压的短沟道沟槽功率MOSFET
机译:感测放大器,包括具有短沟道长度和可调阈值电压的场效应晶体管
机译:具有漏场连接区的短沟道费米阈值电压场效应晶体管及其制造方法
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