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CMOS/SOI电路模拟与参数提取

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ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ主要模型参数得一致的提取，因而该模型嵌入ＳＰＩＣＥ后能保证ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的正确模拟工作，从ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件和环振电路的模拟结果和实验结果看，两者符合得较好，说明我们所采用的ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ器件模型及其参数提取都是成功的。

著录项

来源
《电子学报》 |1995年第11期|96|共1页
作者
甘学温;
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作者单位

不详;

不详;

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正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
CMOS／SOI; 电路模拟; 器件参数提取;

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