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赵鸿麟;
无;
MOS晶体管; VT成品率; 沟道长度;
机译:具有高分辨率电极的亚2微米沟道长度MoS2晶体管的激光直接写入和喷墨打印
机译:沟道长度低于10 nm的MoS2场效应晶体管
机译:隧道DCIV提取超薄栅氧化物MOS晶体管的沟道和扩展区中的杂质-杂质浓度,氧化物厚度和长度
机译:长沟道晶体管上的阈值电压(Vt)的相关性Vt植入剂量由高精度SIMS确定
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:通过利用电荷俘获动力学模拟n和p沟道MoS2晶体管中的突触响应
机译:MOS2场效应晶体管,具有子10 nm沟道长度
机译:减小150纳米以下沟道长度si mOsFET的沟道热电子产生的基极电流
机译:补偿电路,其中任何两个子像素的驱动晶体管的沟道宽度与长度之比之间的大小关系与对应于两个子像素的两个感测晶体管的沟道宽度与长度之比之间的大小关系相同,制造方法,像素电路,补偿装置及显示装置
机译:通过调整有效沟道长度(Leff)的方式,使用单个掩模且无需任何其他注入的低压Vt(CMOS)晶体管设计
机译:带有沟道保护区的窄沟道长度MOS场效应晶体管,用于减小源到衬底的电容
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