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高速BiCMOS技术

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本文描述了一种可用于集成系统的高速BiCMOS技术。采用双埋层、双阱和外延结构,应用2μm设计规则,成功地将NPN器件和CMOS器件制作在同一芯片上。得到了满意的单管性能。在大负载条件下,BiCMOS反相器门的速度比普通CMOS反相器门快得多。

著录项

来源
《电子学报》 |1990年第6期|99|共1页
作者
赵巍; 杨肇敏; 徐葭生;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型;
关键词
集成电路; CMOS工艺; Bipolar工艺;

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