激光再结晶SOM材料及压力传感器研究

邢昆山

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用CW Ar^+激光对B^+注入(60keV,5×10^(15)cm^(-2))非晶硅SOM材料进行辐照再结晶,获得了高灵敏度的压阻材料,其GF在30左右。结晶后的晶粒增大到10μm×40μm,且杂质分布均匀,电学性质大大提高。用该材料制备的桥路压力传感器,灵敏度为6mV/V bar,具有良好的输出线性度。

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来源
《电子学报》 |1989年第1期|108|共1页
作者
邢昆山;
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作者单位

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.12;
关键词
压力; 传感器; SOM; 压阻材料;

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