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半导体器件中l/f噪声的微观统计模型

         
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摘要

半导体器件中1/f噪声的粒子数涨落和迁移率涨落模型具有很大的局限性。本文利用Boltzmann输运理论提出了一个描述其1/f噪声的微观统计模型,得到了与实验更为相符的关于1/f噪声谱密度的公式。

著录项

  • 来源
    《电子学报》 |1985年第2期|68-73|共6页
  • 作者

    史永基;

  • 作者单位

    洛阳建筑材料工业专科学校;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
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