微带铁氧体移相器的相移量和损耗

朱生传

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微带铁氧体移相器的相移量和损耗

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本文分析了铁氧体基片的相对磁导率和基片磁路的约化磁化强度,给出了移相器相移量的计算公式,讨论了影响相移量的因素,推导了磁性基片上耦合带的导体衰减系数表达式,并给出了移相器插入损耗的计算公式。理论和实验结果相符。理论分析和实验结果都表明:弯曲钱型移相器的相移效率低和内谐振损耗高的缺点是可以克服的,高性能的移相器是能够实现的。

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来源
《电子学报》 |1985年第2期|80-87|共8页
作者
朱生传;
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作者单位

北京大学物理系;

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