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丁墨元;
无;
机译:使用GaAs TUNNETT二极管和InP Gunn器件以二次或更高谐波模式产生亚毫米波辐射
机译:InP Gunn器件和GaAs TUNNETT二极管在100-300 GHz和更高频率范围内的性能方面的最新进展
机译:GaAs Gunn器件在94 GHz频率下产生的基本功率和谐波功率的比较
机译:X波段Gunn振荡器特性与硅和GaAs IMPATTS的比较
机译:高功率拟晶AlGaAs / InGaAs高电子迁移率晶体管的材料,物理学,器件物理学和技术。
机译:GaInAsSb材料在GaAs衬底上用于发光器件应用的变质集成
机译:Kuball,m。(2011年)。通过阳极接触设计减少Gaas基平面Gunn二极管中的碰撞电离。 IEEE电子器件交易。 10.1109 / TED.2011.2177094
机译:完善改进Gunn效应器件的材料技术
机译:用于C波段的分频X波段Gunn二极管振荡器-变容二极管耦合到电路,调谐至基频的三分之二
机译:梯度GAASP成分的电压可控可变频率Gunn振荡器。
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