体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响

著录项

• 来源
  《电子学报》 |2019年第5期|1065-1069|共5页
• 作者

  席善学; 陆妩; 郑齐文; 崔江维; 魏莹; 姚帅; 赵京昊; 郭旗;

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• 作者单位

  中国科学院大学;

  北京;

  100049;

  中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;

  中国科学院新疆理化技术研究所;

  新疆乌鲁木齐;

  830011;

  中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;

  中国科学院新疆理化技术研究所;

  新疆乌鲁木齐;

  830011;

  中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;

  中国科学院新疆理化技术研究所;

  新疆乌鲁木齐;

  830011;

  中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;

  中国科学院新疆理化技术研究所;

  新疆乌鲁木齐;

  830011;

  中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;

  中国科学院新疆理化技术研究所;

  新疆乌鲁木齐;

  830011;

  中国科学院大学;

  北京;

  100049;

  中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;

  中国科学院新疆理化技术研究所;

  新疆乌鲁木齐;

  830011;

  中国科学院大学;

  北京;

  100049;

  中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;

  中国科学院新疆理化技术研究所;

  新疆乌鲁木齐;

  830011;

  中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;

  中国科学院新疆理化技术研究所;

  新疆乌鲁木齐;

  830011;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 半导体技术;
• 关键词

  总剂量效应; 绝缘体上硅; 体效应; 浅沟槽隔离;