基于一种NAND闪存页缓存器设计的C/F读取算法研究

著录项

• 来源
  《电子学报》 |2018年第11期|2619-2625|共7页
• 作者

  陈珂; 杜智超; 叶松; 王颀; 霍宗亮;

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• 作者单位

  成都信息工程大学通信工程学院;

  四川成都610225;

  中国科学院微电子研究所;

  北京100029;

  中国科学院微电子研究所;

  北京100029;

  中国科学院大学微电子学院;

  北京100029;

  成都信息工程大学通信工程学院;

  四川成都610225;

  中国科学院微电子研究所;

  北京100029;

  中国科学院大学微电子学院;

  北京100029;

  中国科学院微电子研究所;

  北京100029;

  中国科学院大学微电子学院;

  北京100029;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 TP333.5+2;
• 关键词

  NAND闪存; 多值存储单元; 页缓存器; Coarse/Fine读取算法; 读可靠度;