首页> 中文期刊> 《电子学报》 >半导体器件内离子有效LET值测量方法研究

半导体器件内离子有效LET值测量方法研究

         

摘要

提出了一种基于电荷收集测试技术的离子有效LET值测量方法.首先对半导体器件内收集电荷量与人射离子有效LET值之间的关系进行了分析,根据二者之间的关系提出通过测量电荷收集量从而测量离子有效LET值的方法;然后建立了半导体器件电荷收集测试系统,利用PN结和SRAM对测量方法进行了验证;最后成功利用该方法解释了以往单粒子效应实验中出现的数据异常.

著录项

  • 来源
    《电子学报》 |2018年第10期|2546-2550|共5页
  • 作者单位

    中国原子能科学研究院核物理所;

    国防科技工业抗辐照应用技术创新中心;

    北京102413;

    中国原子能科学研究院核物理所;

    国防科技工业抗辐照应用技术创新中心;

    北京102413;

    中国原子能科学研究院核物理所;

    国防科技工业抗辐照应用技术创新中心;

    北京102413;

    中国原子能科学研究院核物理所;

    国防科技工业抗辐照应用技术创新中心;

    北京102413;

    中国原子能科学研究院核物理所;

    国防科技工业抗辐照应用技术创新中心;

    北京102413;

    中国原子能科学研究院核物理所;

    国防科技工业抗辐照应用技术创新中心;

    北京102413;

    中国原子能科学研究院核物理所;

    国防科技工业抗辐照应用技术创新中心;

    北京102413;

    中国原子能科学研究院核物理所;

    国防科技工业抗辐照应用技术创新中心;

    北京102413;

    中国原子能科学研究院核物理所;

    国防科技工业抗辐照应用技术创新中心;

    北京102413;

    中国原子能科学研究院核物理所;

    国防科技工业抗辐照应用技术创新中心;

    北京102413;

    中国原子能科学研究院核物理所;

    国防科技工业抗辐照应用技术创新中心;

    北京102413;

    中国原子能科学研究院核物理所;

    国防科技工业抗辐照应用技术创新中心;

    北京102413;

    中国原子能科学研究院核物理所;

    国防科技工业抗辐照应用技术创新中心;

    北京102413;

    中国原子能科学研究院核物理所;

    国防科技工业抗辐照应用技术创新中心;

    北京102413;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 放射性计量学与计量技术;重离子核物理;
  • 关键词

    单粒子效应; 电荷收集; 有效LET值; SRAM;

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号