基于gm/Id参数的CMOS运算放大器设计重用方法

于浩; 郭裕顺; 李康

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基于gm/Id参数的CMOS运算放大器设计重用方法

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模拟电路的设计重用是提高模拟与混合信号集成电路设计效率的重要途径.本文提出了一种基于gm/Id参数的不同工艺之间同一结构电路的设计移植方法.方法的基本思想是保持移植前后电路中部分关键MOS管的gm/Id参数,从而使移植后电路的性能也基本保持不变.介绍了基于BSIM等模型的gm/Id匹配及移植电路参数确定方法.给出了一个Miller补偿两级运放及一个折叠共源共栅运放从0.35μm工艺到0.18μm、0.13μm、90nm工艺的移植仿真结果.与现有方法相比,本文方法可以更小的计算代价,得到性能基本相同、但功耗与面积缩减的电路.

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来源
《电子学报》 |2019年第8期|1626-1632|共7页
作者
于浩; 郭裕顺; 李康;
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作者单位

杭州电子科技大学电子信息学院;

浙江杭州 310018;

杭州电子科技大学电子信息学院;

浙江杭州 310018;

杭州电子科技大学电子信息学院;

浙江杭州 310018;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体集成电路（固体电路）;
关键词
模拟集成电路设计; 模拟IP; 设计重用; 工艺移植;

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