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高频npn Si_(1-y)Ge_y基区HBT的集电结势垒区模型

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本文分析并给出了在无应力及界面态的理想条件下ｎｐｎＳｉ１－ｙＧｅｙ基区ＨＢＴ集电结势垒高度的近似公式，重点推导了集电区穿通时的势垒区宽度的定量计算公式，在比较了未发生集电区穿通的势垒区宽度后，得出了重要结论．同时。

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来源
《电子学报》 |1999年第5期|49-52|共4页
作者
孔德义; 李垚; 魏同立; 郑茳; 钱文生;
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作者单位

东南大学微电子中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类基础理论;半导体物理学;
关键词
空间电荷区; 硅; 锗; HBT; 集电结势垒区; 模型;

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