p/i 界面的缓变层对大面积(2790cm^2)a-Si : H 太阳电池性能影响的研究

于化丛; 杨红; 王克俭; 胡宏勋; 崔容强

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报道了在大面积（２７９０ｃｍ２）ｐ－ｉ－ｎ型ａ－Ｓｉ∶Ｈ异质结太阳电池ｐ／ｉ界面之间引入缓变层（ＣＧＬ∶Ｃ，ＣＧＬ∶Ｂ∶Ｃ）对电池性能影响的研究结果。实验发现，带有ＣＧＬ∶Ｃ的ａ－Ｓｉ∶Ｈ太阳电池性能的改善主要来源于开路电压的提高，带有ＣＧＬ∶Ｂ∶Ｃ的ａ－Ｓｉ∶Ｈ太阳电池性能的提高主要来源于填充因子ＦＦ的增加。提出了带有缓变层ａ－Ｓｉ∶Ｈ电池的能带模型，据此分析了ｐ／ｉ结附近载流子的复合动力学过程，从理论上解释了实验中所发现的现象。

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来源
《太阳能学报》 |1997年第4期|421-426|共6页
作者
于化丛; 杨红; 王克俭; 胡宏勋; 崔容强;
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作者单位

哈尔滨-克罗拉太阳能电力公司;

西安法乐电子公司;

新加坡阀门公司哈尔滨分公司;

上海交通大学;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类太阳能电池;
关键词
界面; 缓变层; 非晶硅; 太阳电池;

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