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用微机控制的高分辨率三晶体X射线衍射仪究研GaInP外延层的超结构

         

摘要

本文介绍自制具有极高分辨率的微机控制的三晶体X射线衍射仪,利用这台仪器测量了用MOCVD方法生长的Ga0.52In0.48P外延层的超结构,我们发现,在Ga0.52In0.48P外延薄膜内由In平面和Ga平面交替组成的(111)平面中,存在着交替的In丰与Ga丰平面,这种In丰与Ga丰的附加浓度可达4-6%。

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