用于量子电压基准中约瑟夫森结阵列的CMP平整化工艺研究

赵欣; 曹文会; 李劲劲

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化学机械平坦化(chemical mechanical planarization,CMP)工艺处理SiO_(2)绝缘层是一种获得高度集成化超导电路的关键技术,尤其适合于多层堆叠约瑟夫森结阵列器件的平整化。设计了应用于热氧化生长的SiO_(2)薄膜和化学气象沉积生长的SiO_(2)薄膜的CMP工艺,得出两种薄膜的抛光速率分别为2 nm/s和3 nm/s,晶圆的全局材料去除高度差均在20 nm以内。并将CMP工艺应用到约瑟夫森结阵列的制作流程,结单元结构AFM高度轮廓扫描显示台阶高度由240 nm减小到约25 nm,其上的SiO_(2)绝缘层2×2μm^(2)区域内的表面粗糙度为0.535 nm,提供了后续器件制备所需的工艺窗口。

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来源
《计量学报》 |2022年第3期|412-415|共4页
作者
赵欣; 曹文会; 李劲劲;
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作者单位

中国计量科学研究院前沿计量科学中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类电磁学与无线电计量;
关键词
计量学; 约瑟夫森结阵列; 化学机械平整化;

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