p-H_(1-x)Cd_xTe材料中轻空穴的性质研究

蒋春萍; 桂永胜; 郑国珍; 马智训; 王善力; 何力; 褚君浩

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通过变磁场霍尔测量方法 ,采用由迁移率谱和多载流子拟合过程相结合的混合电导法 ,在 1 2 - 30 0K范围内 ,获得了两块分子束外延 (MBE)生长的p Hg1-xCdxTe(x =0 2 2 4)样品中的轻、重空穴以及体电子、表面电子的浓度和迁移率 .此外 ,在实验中 ,还直接观察到了轻空穴对电导张量分量的贡献 .实验值不仅具有明确的物理意义 ,而且有助于红外探测器模型的建立 .

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来源
《物理学报》 |2000年第5期|959-964|共6页
作者
蒋春萍; 桂永胜; 郑国珍; 马智训; 王善力; 何力; 褚君浩;
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作者单位

中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室;

上海200083;

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正文语种 chi
中图分类红外光学材料;
关键词
红外探测器; HgCdTe; 轻空穴; 红外光学材料;

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